TP2635/TP2640
P-沟道增强型
垂直的DMOS场效应管
特点
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低门槛 - -2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这
结合生产设备的功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和热
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
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逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
销刀豆网络gurations
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
SGD
NC
NC
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
TO-92
（ TOP VIEW ）
SO-8
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
订购信息
设备
封装选项
SO-8
-
-
TP2640LG
TP2640LG-G
TO-92
TP2635N3
TP2635N3-G
TP2640N3
TP2640N3-G
BV
DSS
/ BV
DGS
-350V
R
DS （ ON）
（最大）
15Ω
V
GS （ TH）
（最大）
-2.0V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
TP2635
TP2640
-400V
15Ω
-2.0V
-0.7A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
1
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
