TP5322
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
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高输入阻抗
低门槛
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
低输入和输出泄漏
无二次击穿
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司TP5322是一个低门槛enhancement-
模式（常关），采用了先进的垂直晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
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逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
电池供电系统
光伏设备
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
订购信息
封装选项
TO-236AB
1
TP5322K1
TP5322K1-G
TO-243AA
2
TP5322N8
TP5322N8-G
BV
DSS
/ BV
DGS
-220V
R
DS （ ON）
（最大）
12Ω
V
GS （ TH）
（最大）
-2.4V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
注意事项：
1
同SOT- 23 ，
2
同SOT- 89 。
产品标识为TO- 236AB ：
P3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
产品标识为TO- 243AA ：
TP3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度
3
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
漏
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行
该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是
参考器件接地。
3
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
门
来源
G
D
S
TO-236AB
（ TOP VIEW ）
TO-243AA
（ TOP VIEW ）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
