TP5335
P沟道增强模式
垂直的DMOS FET
特点
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高输入阻抗和高增益
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
无二次击穿
互补N和P沟道器件
概述
Supertex公司TP5335是一个低门槛enhancement-
模式（常关），采用了先进的垂直晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
和高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控
和热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
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逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
模拟开关
电源管理
电信交换机
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-350V
R
DS （ ON）
（最大）
引脚CON组fi guration
封装选项
TO-236AB
TP5335K1
TP5335K1-G
漏
V
GS （ TH）
（最大）
30Ω
-2.4V
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
门
来源
TO-236AB
（ TOP VIEW ）
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
产品标识信息
产品标识为SOT- 23 ：
P3S
其中， = 2周阿尔法日期代码
下划线表示无铅（ “绿色” ）
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏可能
发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续运行
该设备在绝对评价等级会影响器件的可靠性。所有的电压都是
参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
