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VN0106N3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: VN0106N3
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS FET [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
文件页数/大小: 4 页 / 476 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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VN0104
VN0106
N沟道增强模式
垂直的DMOS FET
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
40V
60V
R
DS ( ON)
(最大)
3.0Ω
3.0Ω
I
D(上)
(分钟)
2.0A
2.0A
订单号码/套餐
TO-92
VN0104N3
VN0106N3
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器(继电器,锤子,螺线管,灯,
存储器,显示器,双极型晶体管等)的
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
参考尺寸封装外形部分。
SGD
TO-92
11/12/01
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做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
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