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VN0645 参数 Datasheet PDF下载

VN0645图片预览
型号: VN0645
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 34 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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VN0645/VN0650
热特性
TO-39
TO-92
I
D
(连续) *
0.4A
0.2A
I
D
(脉冲的)
1.5A
1.0A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
6W
1W
θ
jc
°
C / W
21
125
θ
ja
°
C / W
125
170
I
DR
*
0.4A
0.2A
I
DRM
1.5A
1.0A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
VN0650
VN0645
500
450
2
4
-4.5
100
10
1
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
0.5
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
100
120
20
10
130
75
20
10
10
20
10
1.8
V
ns
V
GS
= 0V时,我
SD
= 0.4A
V
GS
= 0V时,我
SD
= 0.4A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 0.5A,
R
= 25Ω
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
0.8
1.1
12
11
16
0.75
V
毫伏/°C的
nA
µA
mA
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 2毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 2毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 5V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 400毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 400毫安
V
DS
= 25V ,我
D
= 400毫安
A
%/°C
m
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
10%
t
(上)
t
D(上)
V
DD
产量
0V
90%
90%
t
r
t
(关闭)
t
D(关闭)
t
F
脉冲
发电机
R
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
10%
10%
输入
7-176