欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

VN2110 参数 Datasheet PDF下载

VN2110图片预览
型号: VN2110
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 458 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
 浏览型号VN2110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VN2110的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VN2110的Datasheet PDF文件第4页  
VN2106
VN2110
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/ R
DS ( ON)
BV
DGS
(最大)
60V
100V
订单号码/套餐
TO-92
VN2106N3
TO-236AB*
VN2110K1
DIE
VN2110ND
产品标识为SOT- 23 :
N1A❋
哪里
= 2个星期的α-日期代码
4.0Ω
4.0Ω
MIL视觉筛选可用
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
特点
可用的商用和军用版本
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
高输入阻抗和高增益
先进的DMOS技术
这些增强模式(常关)晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征,这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用范围广
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
电机控制
放大器器
电源电路
转换器
开关
驱动器(继电器,锤子,螺线管,灯,
存储器,显示器,双极型晶体管等)的
封装选项
D
的s
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
* 1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
SGD
TO-236AB
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
(SOT-23)
顶视图
TO-92
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注:请参阅尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任,并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的,由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1