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VN2450N3 参数 Datasheet PDF下载

VN2450N3图片预览
型号: VN2450N3
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关
文件页数/大小: 4 页 / 458 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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VN2450
热特性
TO-243AA
TO-92
I
D
(连续) *
0.25A
0.2A
I
D
(脉冲的)
0.75A
0.65A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.6W
1W
θ
jc
°
C / W
15
125
θ
ja
°
C / W
78
170
I
DR
*
0.25A
0.2A
I
DRM
0.75A
0.65A
*
I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
( 25°C ,除非另有规定)
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS ( TH)
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
500
1.5
-5.5
100
10
1
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
µA
mA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 2.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 400毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 400毫安
V
DS
= 25V ,我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
F = 1.0 MHz的
I
D(上)
R
DS ( ON)
∆R
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
0.5
20
13
1.7
50
150
50
25
10
10
25
20
1.5
A
%/°C
m
pF
ns
V
注意事项:
1.所有的DC参数,除非另有说明, 100%在25℃下进行测试。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
10%
t
(上)
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
= 25V,
I
D
= 250毫安,
R
= 25Ω
V
GS
= 0V时,我
SD
= 400毫安
R
L
产量
D.U.T.