VN3205
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
特点
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无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
概述
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与功率处理能力
高输入阻抗和正温度COEF网络cient
固有的MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和热
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
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电机控制
转换器
放大器器
开关
电源电路
驱动器（继电器，锤子，螺线管，灯，
存储器，显示器，双极型晶体管等）的
订购信息
设备
VN3205
TO-92
VN3205N3-G
14-Lead
PDIP
VN3205P-G
TO-243AA
(SOT-89)
VN3205N8-G
DIE
(1)
BV
DSS
/ BV
DGS
(V)
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
V
GS （ TH）
最大
(V)
VN3205ND
50
0.3
2.4
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
注意：
（1）的MIL视觉筛选可用的。
销刀豆网络gurations
漏
来源
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
*
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
-55 ° C至+ 150°C
漏
门
来源
漏
门
TO-92 （N 3 ）
G3
S3
N / C
S4
G4
D4
TO- 243AA （ SOT- 89 ） （ N8 ）
D3
+300°C
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
D1
D2
G2
S2
N / C
S1
G1
14引脚PDIP （ P）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
