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L1M-2N4S-10 参数 Datasheet PDF下载

L1M-2N4S-10图片预览
型号: L1M-2N4S-10
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内容描述: 高频片式电感 [High Frequency Chip Inductor]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 354 K
品牌: SUPERWORLD [ SUPERWORLD ELECTRONICS ]
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高频片式电感
7.可靠性&试验条件:
L1M系列
弯曲强度
性能
的铁素体不应该由力而损坏
施加于右侧的状态。
R0.5(0.02)
1.0(0.039)
测试条件
系列名称
2
3
4
5
毫米(英寸)
0.80 (0.033)
1.40 (0.055)
2.00 (0.079)
2.70 (0.106)
P-千克力
0.3
1.0
2.5
2.5
芯片
A
6
7
随机振动试验
外观:开裂,航运&其他
缺陷有害的特性应
是不允许的。
频率: 10-55-10Hz 15分钟。
振幅: 1.52毫米
方向&次: X,Y, Z方向上15分钟。
这个周期应在每三个被执行12次
相互垂直的方向(共9小时) 。
温度: 105 ±2℃
外加电流:额定电流
时间: 1008 ± 12小时
测定在室温下放置2〜 3小时后。
湿度: 90 〜 95 %RH 。
温度: 60±2 ℃下
时长: 504 ± 8小时
测定在室温下放置2〜 3小时后。
在高温寿命试验
温度
外观没有损伤。
电感:内初始值的±10% 。
问:内初始值的± 20%。
湿度
热冲击
外观没有损伤。
电感:内初始值的±10% 。
问:内初始值的± 20%。
1
2
3
温度(℃)
-40± 2° C
房间温度。
+105± 2° C
时间(分钟)
30± 5
0.5
30± 5
条件1周
步骤1: -40 ℃±2℃ 30±5分钟。
步骤2: + 105 ℃±2℃ 30±5分钟。
循环次数: 500
测定在室温下放置2〜 3小时后。
温度:-40 ±2℃
时长: 500 ± 8小时
测定在室温下放置2〜 3小时后。
低温存储测试
测: 500次
砸10次从水泥地上
的75厘米高度。
一。无机械损伤
B 。电感变化: ±30%以内。
降额
6
6A
5A
4A
3A
2A
1.5A
1A
降低的电流(A )
降额曲线
对于铁氧体片式磁珠承受的电流超过1.5A其中,作为
工作温度超过85 ° C时,电流降额信息
有必要考虑。对于电流降额的细节,请
指的是降低的电流与工作温度曲线。
5
4
3
2
1
0
85
125
工作温度( ℃)
工作温度(
)
注:规格如有变更,恕不另行通知。请查看我们的网站了解最新信息。
10.11.2011
SUPERWORLD ELECTRONICS ( S) PTE LTD
PG 。 6