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    SPC6602 参数 Datasheet PDF下载

    SPC6602图片预览
    型号： SPC6602
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 氮磷对增强模式MOSFET [N & P Pair Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 266 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPC6602的Datasheet PDF文件第9页  
    SPC6602
    ñ & P对增强模式MOSFET
    电气特性
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿
    电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅压漏
    当前
    通态漏电流
    符号
    条件
    V
    GS
    =0V,I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250uA
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    = 30V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = 30V,V
    GS
    = 0V牛逼
    J
    =55℃
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    = 0V牛逼
    J
    =55℃
    V
    DS
    ≥
    5V,V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    ≤
    -5V,V
    GS
    =-10V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 2.8A
    V
    GS
    =-10V,I
    D
    =-2.8A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 2.3A
    V
    GS
    =-4.5V,I
    D
    =-2.5A
    V
    DS
    =4.5V,I
    D
    =2.8A
    V
    DS
    =-10V,I
    D
    =-2.8A
    I
    S
    = 1.25A ，V
    GS
    =0V
    I
    S
    =-1.2A,V
    GS
    =0V
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    N沟道
    P沟道
    分钟。
    30
    -30
    1
    1
    典型值
    MAX 。 UNIT
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    3
    -3
    ±100
    ±100
    1
    -1
    10
    -10
    0.043
    0.088
    0.056
    0.118
    4.6
    4
    0.8
    -0.8
    4.5
    5.8
    0.8
    0.8
    1.0
    1.5
    8
    9
    12
    9
    17
    18
    8
    6
    0.060
    0.105
    0.080
    0.135
    1.2
    -1.2
    10
    10
    V
    nA
    uA
    A
    Ω
    S
    V
    6
    -6
    漏源导通电阻R
    DS （ ON）
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    开启时间
    t
    r
    t
    D（关闭）
    打开-O FF时间
    t
    f
    政府飞行服务队
    V
    SD
    N沟道
    V
    DS
    =15 ,V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    ≡2.0A
    P沟道
    V
    DS
    =-15V ,V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    ≡-2.0A
    N沟道
    V
    DD
    =15 , R
    L
    =10Ω
    V
    根
    = 10V ，R
    G
    =3Ω
    P沟道
    V
    DD
    = -15V ，R
    L
    =15Ω
    V
    根
    = -10V ，R
    G
    =3Ω
    nC
    20
    20
    30
    20
    35
    35
    20
    20
    nS
    2006/03/20
    Ver.3
    第3页

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