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型号: SPC6801
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内容描述: P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管 [P-Channel Trench MOSFET with Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 9 页 / 229 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPC6801
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
描述
该SPC6801combines的沟槽MOSFET技术
具有非常低的正向压降肖特基势垒
整流器的TSOP- 6P包。沟槽MOSFET是
P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用高密度生产, DMOS
沟槽技术。这种高密度工艺特别
针对减少通态电阻,提供
出色的开关性能。肖特基二极管是
所提供的便利的实施
双向堵塞开关,或用于DC-DC转换
应用程序。
应用
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
手机
特点
P沟道
-30V / -2.8A , RDS ( ON) = 105mΩ @ VGS = - 10V
-30V/-2.5A,RDS(ON)=115mΩ@VGS=-4.5V
-30V/-1.5A,RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V
肖特基
维生素K拮抗剂(V ) = 20V , IF = 1A , VF<0.5V@0.5A
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TSOP- 6P包装设计
引脚配置( TSOP- 6P )
最热
2006/11/25
Ver.1
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