SPN11T10T251TGB 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN11T10T251TGB
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 226 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN11T10

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

包

部分

记号

SPN11T10T252RGB

TO-252

SPN11T10T251TGB

TO-251

※

SPN11T10T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

※

SPN11T10T251RGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费

SPN11T10

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

雪崩电流

功率耗散@ T

=25℃

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

100

±20

10.0

150

-55/150

110

单位

℃

2010/08/03

Ver.1

第2页

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