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    SPN12T20T252RGB 参数 Datasheet PDF下载

    SPN12T20T252RGB图片预览
    型号： SPN12T20T252RGB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 158 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPN12T20T252RGB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPN12T20T252RGB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPN12T20T252RGB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPN12T20T252RGB的Datasheet PDF文件第5页  
    SPN12T20
    N沟道增强型MOSFET
    电气特性
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    马克斯。
    单位
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =160V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    ≥5V,V
    GS
    =10V
    200
    2.0
    3.8
    5.0
    ±100
    2
    18
    0.18
    8.5
    1
    17.6
    7.6
    3.7
    1000
    110
    2.4
    9.4
    23
    18.4
    15.6
    25
    11
    5.2
    1400
    155
    3.5
    19
    41
    37
    21.8
    0.21
    V
    nA
    uA
    A
    Ω
    S
    V
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =12A
    政府飞行服务队
    V
    SD
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DD
    = 100V ，我
    D
    =12A,
    V
    根
    = 10V ，R
    G
    =3.3Ω
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =12A
    I
    S
    =1A,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =160V,V
    GS
    =10V
    I
    D
    = 12A
    nC
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    pF
    nS
    2013/01/09
    Ver.1
    第3页

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