SPN3632 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN3632
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 236 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN3632

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN3632是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用程序，笔记本电脑的电源管理和

其它电池供电的电路，其中的高侧

切换。

特点

100V/80A,R

DS （ ON）

= 8.5mΩ@V

= 10V

100V/40A,R

DS （ ON）

= 9.8mΩ@V

= 6.0V

100V/10A,R

DS （ ON）

=为10mΩ @ V

= 4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

TO- 220-3L封装设计

应用

DC / DC转换器

负荷开关

开关电源二次侧同步整流器

引脚配置（ TO- 220-3L ）

最热

2009 / 04 / 10

Ver.1

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