SPN6001T92AGB 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN6001T92AGB
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 272 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN6001

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向电压上

正向跨导

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 300 V，I

= 1 A

= 25Ω

= 25 V ， F = 1MHz时，

= 0

= 480 V，I

= 1 A,

= 10 V

6.1

1.0

3.0

178

3.7

221

4.8

7.2

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

政府飞行服务队

=0V,V

=±20V

=480V, V

=0V

= 0V时，我

=500mA

= 40 V，I

= 500毫安

0.8

600

2.0

4.0

±100

Ω

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

DS （ ON）

= 10V ，我

=500mA

（1 ）脉冲：脉冲持续时间= 300

µs,

占空比的2％。

（ 2 ）脉冲宽度有限的最高结温。

2012/07/12

Ver.1

第3页

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