SPN6561 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN6561
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内容描述：	双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 200 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN6561

双N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN6561是双N沟道增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。这种高密度

工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

N沟道

30V/2.8A,R

DS （ ON）

=的60mΩ @ V

=10V

30V/2.3A,R

DS （ ON）

= 80mΩ @ V

=4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 23-6L封装设计

引脚配置（ SOT- 23-6L ）

最热

2006/06/05

Ver.1

第1页

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