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型号: SPN6562
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内容描述: 双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 199 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN6562
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN6562是双N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度, DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性,并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用,例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路,其中
高侧开关,低线功率损耗,并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
30V/2.8A,R
DS ( ON)
= 65mΩ @ V
GS
=10V
30V/2.3A,R
DS ( ON)
= 75mΩ @ V
GS
=4.5V
30V/1.5A,R
DS ( ON)
= 105mΩ @ V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23-6L封装设计
引脚配置( SOT- 23-6L )
最热
2006/08/15
Ver.1
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