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SPN8822ATS8TG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SPN8822ATS8TG
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型MOSFET [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 226 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN8822A
常见的漏双N沟道
增强型MOSFET
描述
该SPN8822A是常见的漏双N沟道
逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度生产, DMOS沟
技术。这种高密度工艺特别
针对减少通态电阻。这些设备
特别适用于低电压应用,
笔记本电脑的电源管理和其他电池
供电电路中的高侧开关。
特点
20V/5.8A,R
DS ( ON)
=30mΩ@V
GS
=4.5V
20V/5.0A,R
DS ( ON)
=42mΩ@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TSSOP - 8P包装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置( SOP - 8P )
最热
2007/06/20
Ver.1
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