SPN8882T252RG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPN8882T252RG
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 213 K
品牌：	SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]

SPN8882

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN8882是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。该SPN8882有

被专门设计用于改善整体

无论使用的同步DC / DC转换器效率

或传统开关PWM控制器。它一直

低栅极电荷优化，低R

DS （ ON）

和快速

开关速度。

应用

在笔记型电源管理

动力系统

DC / DC转换器

负荷开关

特点

30V/40A,R

DS （ ON）

=为10mΩ @ V

=10V

30V/40A,R

DS （ ON）

= 14mΩ @ V

=4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

TO- 252 ， TO- 251封装设计

引脚配置

TO-252

TO-251

最热

2011/04/19

Ver.4

第1页

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9