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SPP2319S23RGB 参数 Datasheet PDF下载

SPP2319S23RGB图片预览
型号: SPP2319S23RGB
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 205 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPP2319
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-15V,R
L
=15Ω
I
D
≡-1.0A,V
=-10V
R
G
=6Ω
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=-36V,V
GS
=0V
V
DS
=-36V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
= -5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V,I
D
=-3.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-2.8A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.0A
I
S
=-1.3A,V
GS
=0V
-40
-0.8
-2.5
±100
-1
-5
-10
0.090
0.100
13
-0.55
9
1.5
2.0
500
95
50
8
10
30
15
20
20
35
20
0.096
0.110
-1.0
12
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V
I
D
= -3.0A
nC
pF
nS
2009/07/15
Ver.1
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