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1N5403 参数 Datasheet PDF下载

1N5403图片预览
型号: 1N5403
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内容描述: 硅整流二极管 [SILICON RECTIFIER DIODES]
分类和应用: 整流二极管
文件页数/大小: 2 页 / 36 K
品牌: SYNSEMI [ SYNSEMI, INC. ]
 浏览型号1N5403的Datasheet PDF文件第2页  
1N5400 - 1N5408
PRV : 50 - 1000伏
IO: 3.0安培
产品特点:
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
DO - 201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.53)
0.285 (7.24)
机械数据:
*案例: DO - 201AD模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.929克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度,除非另有specifie 。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载
对于容性负载,减免电流20 %
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计(9.5mm )引线长度大= 75
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在我
F
= 3.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
FSM
V
F
I
R
I
R(高)
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
5400 5401 5402 5403 5404 5405 5406 5407 5408
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3.0
200
1.0
5.0
50
28
15
- 65〜 + 175
- 65〜 + 175
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
μA
μA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容(注1)
典型热阻(注2 )
结温范围
存储温度范围
注意事项:
( 1 )测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
( 2 )从结点到环境的热阻为0.375"设计(9.5mm )引线长度,PC板装。
第1页2
启示录03 : 2005年3月31日