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型号: BY251
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内容描述: 通用硅整流 [GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 232 K
品牌: SY [ CHANGZHOU SHUNYE ELECTRONICS CO.,LTD. ]
 浏览型号BY251的Datasheet PDF文件第2页  
BY251 THRU BY255
通用硅整流
反向电压 -
200〜 1300伏
DO-201AD
正向电流 -
3.0安培
特点
1.0 (25.4)
分钟。
0.220 (5.6)
0.197(5.0)
DIA 。
0.375(9.5)
0.285(7.2)
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
施工采用无空隙
模压塑料技术
低反向漏
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
机械数据
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.3)
0.048 (1.2)
DIA 。
尺寸以英寸(毫米)
案例:
JEDEC DO- 201AD模压塑体
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.04
盎司, 1.10克
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
符号
BY251
BY252
BY253
BY254
BY255
单位
安培
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.375“设计(9.5mm )引线长度在T
A
=75 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
在3.0A最大正向电压
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
200
140
200
400
280
400
600
420
600
3.0
800
560
800
1300
910
1300
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
英镑
150
1.1
10.0
500
30.0
20.0
-65到+175
安培
u
A
pF
C / W
C
注: 1.Measured
在1MHz和应用4.0V的直流反向电压
结2.Thermal耐环境在0.375“设计(9.5mm )引线长度,PCB安装
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