DB3M 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DB3M
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内容描述：	硅双向DIACS [SILICON BIDIRECTIONAL DIACS]
分类和应用：	数据判读及分析中心
文件页数/大小：	2 页 / 92 K
品牌：	SY [ CHANGZHOU SHUNYE ELECTRONICS CO.,LTD. ]

DB3M.DB4M

硅双向DIACS

特点

在3层， 2 termnal ，密封单IGBT

是专门用于触发晶闸管的设计。

他们证明了目前的低断断裂

过电压，因为他们承受峰值脉冲电流，

在导通对称性在三伏特（ DB6 ）。

这些单IGBT是基于在thyrisitors使用

相位控制，对灯具的调光电路，通用

电动机速度控制，以及热控制。

电压范围： 28-45 V

小型晶圆电阻

阴极indification

.5±0.1

3.4

+0.3

-0.1

0.4±0.1

单位：毫米

绝对额定值

参数

符号

DB3M,DB4M

单位

在打印功耗

=50

重复峰值通态

当前

TP = 20秒

f=120Hz

150.0

TRM

英镑

2.0

-40--- +125

工作结温

储存温度

电气特性

参数

测试条件

民

击穿电压

（注

I + V

I-

我-V

I±

C=22nf

（注2 ）

见图1

C=22nf

（注2 ）

见图1

I=(I

到我

=10mA)

见图1

见图2

C=22nf

（注2 ）

看科幻G.3

=0.5 V

见图1

DB3M

±3.0

DB4M

单位

典型值

最大

转折电压对称性

动态击穿电压

（注1 ）

输出电压

（注1 ）

导通电流

（注1 ）

上升时间

（注1 ）

漏电流

（注1 ）

最大

民

最大

典型值

最大

5.0

100.0

1.5

10.0

注意：

适用于这两个FORW ARD电气特性和反向dirctions 。

并联瓦特第i个设备

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