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DF005DB101 参数 Datasheet PDF下载

DF005DB101图片预览
型号: DF005DB101
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内容描述: 硅桥式整流器 [SILICON BRIDGE RECTIFIERS]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 253 K
品牌: SY [ CHANGZHOU SHUNYE ELECTRONICS CO.,LTD. ]
 浏览型号DF005DB101的Datasheet PDF文件第2页  
DF005 THRU DF10 DB101和DB107 THRU
硅桥式整流器
反向电压 -
50到1000伏特
DB-1
正向电流 -
1.0安培
特点
+
0.255(6.5)
0.245(6.2)
0.350(8.9)
0.300(7.6)
塑料包装进行保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
理想的印刷电路板
低反向漏
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证:
260℃ / 10秒,5磅( 2.3千克)张力
0.365(9.3)
0.355(9.0)
0.135(3.4)
0.115(2.9)
0.165(4.2)
0.155(3.9)
机械数据
案例:
模压塑体
终端:
镀导致每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:
标在外壳的极性符号
安装位置:
任何
重量: 0.04
盎司, 1.0克
0.020
(0.5)
0.060
0.205(5.2)
0.195(5.0)
(1.5)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,为20%,目前的容性负载。
符号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流输出电流
0.06”
( 1.5毫米)铅lenth
在T
A
= 40℃ (注2 )
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
额定值融合( t<8.3ms )
最大正向电压降
每次在1.0A birdge元
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
典型结电容(注1 )
典型热阻(注2 )
工作结温范围
存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
DF005 DF01 DF02 DF04 DF06 DF08 DF10
DB101 DB102 DB103 DB104 DB105 DB106 DB107单位
50
100
200
400
600
800 1000伏
35
70
140
280
420
560
700伏
50
100
200
400
600
800 1000伏
1.0
50.0
10
1.1
10
0.5
25
40
-65到+150
-65到+150
安培
安培
A
2
s
u
A
mA
pF
C / W
C
C
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
T
英镑
注意事项:
1.Measured在1.0 MHz和应用4.0伏特的反向电压。
2.Unit安装在交媾板0.51 “× 0.51 ” ( 13x13mm ),铜垫。
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