TBN6301S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TBN6301S
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内容描述：	NPN硅晶体管RF [NPN SILICON RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 224 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

初步speci fi cation

TBN6301系列

□

典型特征（T

= 25

℃

除非另有规定编）

功耗

- 环境温度

200

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容，C

（PF ）

1.4

F = 1 MHz的

集电极耗散功率，P

（ mW）的

150

1.2

100

1.0

100

125

150

0.8

环境温度，T

( C)

集电极 - 基极电压，V

(V)

直流电流增益

与集电极电流

400

350

300

= 3 V

集电极电流

与基地发射极电压

= 3 V

250

200

150

100

0.1

集电极电流，I

（MA ）

100

直流电流增益，H

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

集电极电流，I

（MA ）

基地发射极电压，V

(V)

http://www.tachyonics.co.kr

2005年12月。

第3页6

1.0版

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