欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

THN4201E 参数 Datasheet PDF下载

THN4201E图片预览
型号: THN4201E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 228 K
品牌: TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]
 浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号THN4201E的Datasheet PDF文件第9页  
THN4201系列
SOT 523
以毫米单位
NPN硅锗RF晶体管
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
特点
o低噪声图
NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
NF = 1.7 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安
o高增益
MAG为10.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 20毫安
MAG = 8.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安
o高转换频率
f
T
= 16.5 GHz的典型。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 20毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位:mm
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
1.4ⅹ0.8, 0.6t
可用软件包
产品
SOT323
SOT343
SOT523
SOT623F
h
FE
分类
记号
h
FE
AG1
AG2
125 〜300 80〜160
THN4201U
THN4201Z
THN4201E
THN4201KF
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
评级
15
6
2.5
35
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
注意:静电敏感器件
www.tachyonics.co.kr
- 1/12 -
March-2006
1.0版