THN5601B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN5601B
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内容描述：	NPN硅锗RF功率晶体管 [NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 90 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

THN5601B

NPN硅锗射频功率

晶体管

该THN5601B是一种成本低， NPN中功率

的SiGe HBT （异质结双极晶体管）

封装在一个塑料的SOT- 223 SMD封装。

该THN5601B可以用作一驱动装置或

一个输出设备，这取决于具体的APP-

lication 。

□

特点

Ø 4.8伏特操作

Ø P1dB为28 dBm的@ F = 900MHz的

Ø功率增益8.5分贝@ F = 900MHz的

引脚配置

□

应用

Ø手持式无线电设备的共同点

在900 MHz的射AB类操作

通信频段。

针无

符号

描述

辐射源

BASE

辐射源

集热器

□

最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作结温

TS = 60 ℃ ;注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

350

-65 ~ 150

150

单位

℃

www.tachyonics.co.kr

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Mar-22-2005

修订版1.2

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