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THN6201图片预览
型号: THN6201
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内容描述: NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 251 K
品牌: TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]
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THN6201系列
SOT 523
以毫米单位
NPN硅锗RF晶体管
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
特点
o低噪声图
NF = 1.1 dB典型值。 @ F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
o高功率增益
MAG = 18.5分贝典型。 @ F = 1千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
13分贝典型。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
o高转换频率
f
T
= 12 GHz的典型。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 15毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
可用软件包
产品
SOT23
单位:mm
2.9ⅹ1.3, 1.2t
h
FE
分类
记号
AC1
AC2
80至160
h
FE
价值125至300
THN6201S
THN6201U
THN6201Z
THN6201E
SOT323 2.0ⅹ1.25 , 1.0吨
SOT343 2.0ⅹ1.25 , 1.0吨
SOT523
1.6ⅹ0.8, 0.8t
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
THN6201KF SOT623F 1.4ⅹ0.8 , 0.6吨
评级
20
12
2.5
35
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
注意:静电敏感器件
www.tachyonics.co.kr
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Aug.-2005
修订版2.0