THN6301系列
SOT 523
以毫米单位
NPN硅锗RF晶体管
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
□
特点
o低噪声图
NF = 1.1 dB典型值。 @ F = 1千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
= 5毫安
o高功率增益
MAG = 18 dB典型值。 @ F = 1千兆赫,V
CE
= 8 V,I
C
?? 15毫安
o高转换频率
f
T
= 10 GHz的典型值。 @ V
CE
= 8 V,I
C
= 15毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位:mm
维
2.9ⅹ1.3, 1.2t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
1.4ⅹ0.8, 0.6t
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
□
可用软件包
产品
包
SOT23
SOT323
SOT343
SOT523
SOT623F
□
h
FE
分类
记号
h
FE
AA1
AA2
125 〜300 80〜160
THN6301S
THN6301U
THN6301Z
THN6301E
THN6301KF
评级
25
12
2.5
65
150
-65 ~ 150
150
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
注意:静电敏感器件
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Aug.-2005
修订版2.0