THN6501Z 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6501Z
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	15 页 / 231 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

THN6501系列

SOT 523

以毫米单位

NPN硅锗RF晶体管

□

应用

低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围

□

特点

o低噪声图

NF = 1.0分贝典型。 @ F = 1千兆赫，V

= 3V ，我

= 7毫安

o高功率增益

MAG = 15 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V

= 3V ，我

= 7毫安

o高转换频率

= 9 GHz的典型。 @ V

= 3 V，I

= 30毫安

引脚配置

针无

符号

描述

BASE

辐射源

集热器

单位：mm

维

2.9ⅹ1.3, 1.2t

2.0ⅹ1.25, 1.0t

1.6ⅹ0.8, 0.8t

□

可用软件包

产品

包

SOT23

SOT323

SOT343

SOT523

□

分类

记号

AB1

AB2

125 〜300 80〜160

THN6501S

THN6501U

THN6501Z

THN6501E

□

绝对最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作结温

评级

2.5

100

150

-65 ~ 150

150

单位

℃

注意：静电敏感器件

www.tachyonics.co.kr

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Aug.-2005

修订版2.0

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