THN6701B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6701B
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅锗RF功率晶体管 [NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 254 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

初步speci fi cation

NPN硅锗RF功率晶体管

SOT223

THN6701B

以毫米单位

□

应用

- UHF和VHF宽频带放大器

6.5

3.0

□

特点

- 高功率增益

MAG = 15 dB的V

= 6 V，I

= 400 mA时， F = 465 MHz的

- 高功率

OUT

= 35 dBm的（ 3W ） @ V

= 6 V，I

= 50 mA时， F = 465 MHz的

2.3

0.7

4.6

3.5

7.0

引脚配置

1.基地

2.辐射源

3.收集

4.发射器

□

绝对最大额定值

= 25

℃)

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

评级

1.5

4.5

150

-65 ~ 150

单位

℃

http://www.tachyonics.co.kr

2005年9月。

第1页6

1.0版

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案