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    RFNL10BGE6S

     RF501BGE2S是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速恢复二极管。适合一般整流及PFC用途（电流临界模式）。
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    FDB9506L-F085

     Power MOSFET, P-Channel, Logic Level, Trench, -40 V, -110 A, 3.6 mΩ
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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