®
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
设备
记号
V
Z
（伏）
民
BZX79C110
BZX79C120
BZX79C130
BZX79C150
BZX79C160
BZX79C180
BZX79C200
79C110
79C120
79C130
79C150
79C160
79C180
79C200
104
114
124
138
153
168
188
最大
116
127
141
156
171
191
212
@I
ZT
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
齐纳
阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
650
800
950
1250
1400
1700
2000
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
漏电流
I
R
@ V
R
（UA最大值）
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
（伏）
84
91
99
114
122
137
152
θV
BR
（毫伏/ ℃ ）
民
63
69
75
87
93
105
120
最大
131
144
158
185
200
228
255
C
V
Z
= 0,
F = 1.0MH
Z
（PF ）
26
24
23
21
20
18
17
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 100mA的电流来所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型号有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。
3.反向击穿电压（V
Z
)
反向的齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
是通过将所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
=
0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
2006年11月/ C
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