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    TFF50N06 参数 Datasheet PDF下载

    TFF50N06图片预览
    型号： TFF50N06
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET 28A ， 60V ， 0.023Î © [N-Channel Power MOSFET 28A, 60V, 0.023Ω]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 309 K
    品牌： TAK_CHEONG [ Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd ]
     浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TFF50N06的Datasheet PDF文件第8页  
    德昌
    ®
    SEM ICON杜CTO ř
    28A ， 60V ， 0.023Ω
    1
    2
    概述
    N沟道MOSFET采用先进的终止
    方案以提供增强的电压阻断能力
    在不降低性能随着时间的推移。这种先进
    技术已特别针对减少通态
    电阻，优越的开关性能。这
    装置非常适用于高效率开关模式电源
    供应商，有源功率因数校正，电子灯
    镇流器基于半桥拓扑。
    3
    1 - 门
    2 - 漏
    3 =来源
    TO-220FP
    设备标记图
    L XXXX
    TFF
    XXXX
    L =德昌标志
    XXYY =每月日期代码
    TFFXXXX =设备类型
    D
    特点
    ●
    ●
    ●
    较高的雪崩能量
    栅极电荷（典型值36nC ）
    高耐用性。
    G
    绝对最大额定值
    (
    T
    C
    =25°C
    中，除非另有
    注意
    )
    符号
    VDSS
    VGSS
    ID
    IDM
    PD
    EAS
    EAR
    dv / dt的
    TJ
    TSTG
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流
    漏电流脉冲
    功耗
    减额在25℃以上因素
    单脉冲雪崩能量
    重复性雪崩能量
    峰值二极管恢复的dv / dt
    工作结温
    存储温度范围
    （注1 ）
    （注2 ）
    （注2 ）
    价值
    60
    ±25
    28
    112
    47
    0.31
    643
    4.7
    7.0
    150
    - 55 〜+ 150
    S
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    W/℃
    mJ
    mJ
    V / ns的
    ℃
    ℃
    注意事项：
    1. L = 300uH ，我
    AS
    = 50A ，V
    DD
    = 25V ，R
    G
    = 50Ω ，起始物为
    J
    =25℃
    2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
    3. I
    SD
    ≤
    50A ， di / dt的
    ≤
    300A / us的，V
    DD
    ≤
    BV
    DSS
    ，起始物为
    J
    =25℃
    热特性
    符号
    R
    θJC
    R
    θJA
    参数
    热阻，结到外壳
    热阻，结到环境
    价值
    3.22
    62.5
    单位
    ℃/W
    ℃/W
    编号： DB- 230
    2011年8月，修订版A
    第1页
    TFF50N06
    N沟道功率MOSFET

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