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型号: TFP2N65
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内容描述: N沟道功率MOSFET 1.9A , 650V , 7.5Î © [N-Channel Power MOSFET 1.9A, 650V, 7.5Ω]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 326 K
品牌: TAK_CHEONG [ Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd ]
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德昌
N沟道功率MOSFET
1.9A , 650V , 7.5Ω
概述
®
SEM ICON杜CTO ř
N沟道MOSFET采用先进的终止
方案以提供增强的电压阻断能力
在不降低性能随着时间的推移。这种先进
技术已特别针对减少通态
电阻,优越的开关性能。这
装置非常适用于高效率开关模式电源
供应商,有源功率因数校正,电子灯
镇流器基于半桥拓扑。
1
1 - 门
2 - 漏
3 =来源
2
3
TO-220AB
设备标记图
L XXYY
TFP
XXXX
L =德昌标志
XXYY =每月日期代码
TFPXXXX =设备类型
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
D
G
S
绝对最大额定值
(
T
C
=25°C
中,除非另有
注意
)
符号
VDSS
VGSS
ID
IDM
PD
EAS
EAR
TJ
TSTG
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流脉冲
功耗
减额在25℃以上因素
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
工作结温
存储温度范围
(注1 )
(注2 )
(注2 )
价值
650
±30
1.9
7.6
55
0.44
127
5.5
150
- 55 〜+ 150
单位
V
V
A
A
W
W/℃
mJ
mJ
注意事项:
1, L = 65mH ,我
AS
= 1.9A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25℃
2.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
价值
2.26
62.5
单位
℃/W
℃/W
编号: DB- 182
2010年3月,修订版B
第1页
TFP2N65