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CC1111F32RSP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CC1111F32RSP
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内容描述: 低功耗低于1 GHz的射频系统级芯片(SoC )与MCU,存储器,收发器和USB控制器 [Low-power sub-1 GHz RF System-on-Chip (SoC) with MCU, memory, transceiver, and USB controller]
分类和应用: 存储射频控制器PC
文件页数/大小: 240 页 / 2823 K
品牌: TAOS [ TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS ]
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CC1110Fx / CC1111Fx
7.3
RF发射第
T
A
= 25
°C,
VDD = 3.0V,如果没有其他说明。所有的测量结果是使用所获得的
CC1110EM参考设计( [1] ) ,如果没有其他说明。
参数
差分负载
阻抗
315兆赫
433兆赫
868/915 MHz的
输出功率,
最高设置
122 + j31
116 + j41
86.5 + j43
+10
DBM
输出功率可编程,并且全系列可在
所有频段
输出功率可以通过监管限制的制约。看
应用说明AN050 [13] - 注意,这AN是为
CC1101
但相同的限制适用于
CC1110Fx
CC1111Fx
as
很好。为
CC1111Fx
看,除了设计笔记DN016 [14]为
在天线解决方案和其它管制信息
限制
参见图图3为典型的变化在操作
条件
交付给50
通过CC1110EM单端负载
参考设计[3]的RF匹配网络。
输出功率,
最低设置
-30
DBM
输出功率是可编程的,可用于整个
整个频带
交付给50
通过CC1110EM单端负载
参考设计[3]的RF匹配网络。
谐波辐射
2危害, 433兆赫
rd
3伤害, 433兆赫
2危害, 868兆赫
rd
3伤害, 868兆赫
谐波辐射
2危害, 868兆赫
rd
3伤害, 868兆赫
谐波,
进行
315兆赫
433兆赫
868兆赫
915兆赫
< -35
< -52
< -44
< -35
< -35
< -34
DBM
nd
nd
nd
典型值
最大
单位
条件/注意
从RF端口看去差动阻抗( RF_P和
RF_N )向天线。按照CC1110EM
参考设计([ 1],[ 2]和[ 3])可从德州仪器
网站。
-51
-42
-37
-43
DBM
测量CC1110EM参考设计( [ 2 ]和[ 3 ] )与
CW , 10dBm的输出功率
在辐射测量中使用的天线
( SMAFF - 433从R.W.Badland和Nearson公司
S331 868/915 )发挥作用的衰减谐波
DBM
-55
-55
测得的[ 4 ] CC1111 USB加密狗参考设计,
与CW , 10dBm的输出功率。使用的芯片天线
在辐射测量中发挥作用的衰减
谐波
测量CC1110EM参考设计([ 1],[ 2]和[ 3])
与CW , 10dBm的输出功率,发射频率为315.00
兆赫, 433.00兆赫, 868.00兆赫,或915.00 MHz的
低于960 MHz的频率
频率超过960 MHz的
1 GHz以下频率
1 GHz以上频率
1 GHz以上频率
1 GHz以上频率
SWRS033E
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