TRS1722 ， TRS1755 ， TRS1766
高灵敏度反光颜色传感器
有小到电压转换器
TAOS034 - 2002年11月
在V电气特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25
°
C，R
L
= 10 k
Ω
（除非另有说明） （续）
检测器（见注2和3）
TRS1722
参数
V
D
V
OM
α
VD
黑暗的电压
最大出UT电压
产量
摇摆
温度COEF网络cient
暗电压（V
D
)
测试条件
E
e
= 0
空载
R
L
= 10 kΩ
T
A
= 0℃至70 ℃的
λ
p
= 470纳米，
见注4和7
λ
p
= 524纳米，
见注5和7
R
e
辐照响应
λ
p
= 565纳米，
见注7和8
λ
p
= 635纳米，
见注6和7
λ
p
= 470纳米，
见注4和7
λ
p
= 524纳米，
见注5和7
R
V
照度响应度
λ
p
= 565纳米，
见注7和8
λ
p
= 635纳米，
见注6和7
PSRR
I
DD
电源抑制
ÿ Ĵ
比
电源电流
f
ac
= 100赫兹，见注10
f
ac
= 1 kHz时，见注10
V
O
= 2 V （典型值）
4
民
0
4.49
4.2
–15
20
35
90
460
0.12
0.027
0.06
1.21
55
35
1.9
3.5
4
典型值
最大
20
民
0
4.49
4.2
–15
90
300
300
35
0.47
0.24
0.20
0.093
55
35
1.9
3.5
4
TRS1755
典型值
最大
20
民
0
4.49
4.2
–15
300
130
22
13
1.57
0.10
V / IX
0.015
0.033
55
35
1.9
3.5
dB
mA
毫伏/
(µW/
cm
2
)
V
μV/°C
TRS1766
典型值
最大
20
单位
mV
注： 2.测量有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
3.光学测量使用小角度入射辐射从发光二极管（LED）光源进行。
4.输入辐射被供给通过的InGaN发光二极管具有以下特征：峰值波长
λ
p
= 470纳米，
光谱半宽
∆λ�½
= 35纳米，发光效率= 75流明/瓦。
5.输入辐射被供给通过的InGaN发光二极管具有以下特征：峰值波长
λ
p
= 524纳米，
光谱半宽
∆λ�½
= 47纳米，光效= 520流明/瓦。
6.输入辐射被供给通过具有以下特征的的AlInGaP发光二极管：峰值波长
λ
p
= 635纳米，
光谱半宽
∆λ�½
= 17纳米，发光效率= 150流明/瓦。
7.响应度，其特征在于在范围V
O
= 0.1 V至4.5 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
与辐射
E
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
8.输入辐射被供给通过具有以下特征在GaP发光二极管：峰值波长
λ
p
= 565纳米，
光谱半宽
∆λ�½
= 28纳米，光效= 595流明/瓦。
9.照度响应度ř
V
从辐照的响应通过使用注释所述的LED的发光效率值计算出
4 ， 5，6，和8所示，并用1勒克司= 1流明/米
2
.
10.电源抑制比PSRR被定义为20日志（ ΔV
DD
（ F） / ΔV
O
（ F） ）与V
DD
中（f = 0）= 5伏和V
O
中（f = 0）= 2V。
该
LUMENOLOGY
r
公司
t
版权
E
2002年， TAOS公司
t
www.taosinc.com
3
TAOS [ TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS ]
