UH1A
THRU
UH1D
表面贴装超快整流器
特点
•薄型封装
•适合自动放置
•氧化物平面芯片结
•超快恢复时间为高频
•符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
•浸焊260 ° C， 40秒
•按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
100V-200V
1.0A
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201级2晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值和电气特性
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
UH1B
HB
100
UH1C
HC
150
1.0
30
- 55〜 + 175
UH1D
HD
200
V
A
A
°C
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
反向电流
(2)
最大反向恢复时间
典型的反向恢复时间
典型的软化系数（T
b
/t
a
)
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
典型结电容
4.0 V， 1 MHz的
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V
T
A
= 125 °C
为V
R
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
符号
典型值。
0.90
0.96
0.70
0.76
-
7.5
13
T
A
= 25 °C
t
rr
21
S
I
RM
Q
rr
C
J
0.8
2.7
35
17
30
-
4.0
-
-
-
A
nC
pF
马克斯。
-
1.05
V
-
0.90
1.0
25
25
ns
µA
单位
正向电压
(1)
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
TAYCHIPST [ SHENZHEN TAYCHIPST ELECTRONIC CO., LTD ]
