敏感的双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(11)
MT2
MT2
隔离
非隔离
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6)
I
DRM
(1) (14)
G
MT2
MT1
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
TO-220
最大
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
伏
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
QI
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
6A
8A
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （12）
L2006L5
L2006D5
L2006V5
L4006L5
L4006D5
L4006V5
L6006L5
L6006D5
L6006V5
L2006L6
L2006D6
L2006V6
L4006L6
L4006D6
L4006V6
L6006L6
L6006D6
L6006V6
L2006L8
L2006D8
L2006V8
L4006L8
L4006D8
L4006V8
L6006L8
L6006D8
L6006V8
L2008L6
L2008D6
L2008V6
L4008L6
L4008D6
L4008V6
L6008L6
L6008D6
L6008V6
L2008L8
L2008D8
L2008V8
L4008L8
L4008D8
L4008V8
L6008L8
L6008D8
L6008V8
毫安
QII
QIII
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
QIV
5
5
5
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
毫安
T
C
= 25 ° （C T）
C
= 110 °C
最大
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
规定的试验条件
的di / dt
- 最大速率的变化的通态电流;我
GT
= 50 mA，带
0.1
µ
崛起的时间
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
I
2
t
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
DRM
- 峰值断态电流，门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GT
- 在具体操作象限直流门极触发电流;
V
D
= 12 V直流; ř
L
= 60
Ω
I
GTM
- 峰值门极触发电流
I
H
- 保持电流门打开;最初的通态电流为100 mA dc直流电
I
T（ RMS ）
- RMS通态电流导通的360 °角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
P
G（ AV ）
- 门平均功耗
P
GM
- 栅极峰值功耗;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
- 门控导通时间;我
GT
= 50 mA的0.1微秒上升时间
V
DRM
- 重复峰值断态/阻断电压
V
GT
- 直流栅极触发电压; V
D
= 12 V直流; ř
L
= 60
Ω
V
TM
- 峰值通态电压最大额定电流有效值
一般注意事项
•
•
•
所有测量都是以60Hz电阻性负载，并在一个
+25环境温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-65
°C
到+110
°C
为TO-92
设备和-40
°C
到+110
°C
对于所有的其它设备。
存储温度范围（T
S
）为-65
°C
+150
°C
为TO-92
设备， -40
°C
+150
°C
对于TO- 202器件，以及-40
°C
to
+125
°C
为TO-220的设备。
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大值在从情况下的最低限度的1/16“ （1.59毫米）。
此案或铅温度（T
C
或T
L
）被测量为示出上
外形尺寸图纸。请参阅“封装尺寸”部分
这个目录。
•
•
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+1 972-580-7777
E1 - 4
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