数据表
敏感的双向可控硅
V
TM
(1) (4)
V
GT
(2) (5) (15)
I
H
(1) (7)
I
GTM
(13)
P
GM
(13)
P
G（ AV ）
I
TSM
(8) (10)
dv / dt的（C ）
(1) (10)
dv / dt的
(1)
t
gt
(9)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
= 25 °C
最大
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
毫安
最大
10
10
10
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
安培
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
瓦
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
瓦
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
60/50赫兹
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
伏/微秒
典型值
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
伏/微秒
T
C
= 100 °C
典型值
40
30
20
40
30
20
45
40
30
40
30
20
45
40
30
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
3
3
3
3.2
3.2
3.2
安培
2
美国证券交易委员会
15
15
15
15
15
15
15
15
15
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
安/微秒
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
对任一极性MT2的参考MT1终端
对于栅电压V任一极性
GT
参照MT1
终奌站
见门特点和象限的定义。
参见图E1.4的我
T
与V
T
.
参见图E1.6的V
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.7 ，因为我
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.5 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E1.9的浪涌额定值和具体时间。
参见图E1.8对于T
gt
与我
GT
.
GATE特性
的Teccor端双向可控硅开关可以导通的栅极和MT1端子之间
在以下方面：
•
•
同相的信号（与标准AC线），使用象限我
和III
单极性脉冲的应用（门始终为正或负面
略去） ，用象限II和III与负栅脉冲和
象限I和IV与正栅极脉冲
当最大浪涌能力是必需的，脉冲应该是一个
最小的一个数量级以上的我
GT
评价一个陡峭上升
波形（
≤
1微秒上升时间） 。
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2正
（正半周）
（ 10 ）参见图E1.2和E1.3图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 11 ）参见图E1.1 ， E1.2图，图E1.3对于T
A
或T
C
与
I
T（ RMS ）
.
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
（13）的脉冲宽度
≤10
µs
(14) T
C
或T
L
= T
J
在关机状态下的测试条件
（ 15 ）最小的非触发V
GT
在110℃下是0.2V。
I
GT
(
-
)
MT2
I
GT
门
+
MT2
(+)
I
GT
门
MT1
MT1
-
(
-
)
REF
MT2
I
GT
门
MT1
REF
QII齐
QIII QIV
(+)
REF
+
MT2
I
GT
门
MT1
REF
I
GT
MT2负
（负半周）
-
象限的定义
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