数据表
敏感的可控硅
V
GT
(4) (12) (22)
I
H
(5) (19)
I
GM
(17)
V
GRM
P
GM
(17)
P
G（ AV ）
I
TSM
(6) (13)
dv / dt的
的di / dt
t
gt
(8)
t
q
(9)
l
2
t
T
C
=
-40 °C
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
T
C
=
25 °C
最大
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
伏/微秒
T
C
=
110 °C
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
毫安
最大
6
6
6
8
8
8
6
6
6
8
8
8
6
6
6
8
8
8
安培
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
伏
民
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
瓦
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
瓦
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
安培
60/50赫兹
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
100/83
T
C
= 110 °C
典型值
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
10
8
8
安/微秒
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
微秒
典型值
4
4
4
5
5
5
4
4
4
5
5
5
4
4
4
5
5
5
微秒
最大
50
50
50
45
45
45
50
50
50
45
45
45
50
50
50
45
45
45
安培
2
美国证券交易委员会
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
41
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
识破图E5.9图E5.1为在额定电流
规定的操作温度。
参见图E5.10因为我
GT
与牛逼
C
或T
L
.
参见图E5.11瞬时通态电流（I
T
）与导通
态电压（V
T
） （典型值） 。
参见图E5.12为V
GT
与牛逼
C
或T
L
.
参见图E5.13因为我
H
与牛逼
C
或T
L
.
超过一个完整的周期，见图E5.14 。
0.8 A至4的器件还具有一个脉冲峰值正向电流导通
国家评级的75 A.这个等级（重复）适用于工作在
60赫兹， 75 ° C（最大值）选项卡（或阳极）铅温度，开关
从80 V峰值，为10 μs的最小正弦电流脉冲宽度，
最大15微秒。参见图E5.20和图E5.21 。
参见图E5.15在t
gt
与我
GT
.
试验条件如下：
– T
C
或T
L
£80
℃，矩形电流波形
- 房价 - 中高层电流
£10
A / μs的
- 费率-的反转电流
£5
A / μs的
– I
TM
= 1 A（ 50微秒脉冲） ，重复率= 60 PPS
– V
RRM
=额定
– V
R
= 15 V最小，V
DRM
=额定
- 上升率的重新施加正向阻断电压为5 V / μs的
- 栅极偏压= 0 V ， 100
W
（关断过程中的时间间隔）
（ 10 ）测试条件最大额定电流有效值，除了TO- 92
设备是1.2 A
PK
; T106 / T107设备4的
PK
.
（ 11 ）参见包装概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
(12) V
D
= 6 V DC ，R
L
= 100
W
（参见图E5.19进行简单的测试电路
测量门极触发电压和门极触发电流）。
（ 13 ）参见图E5.1至图E5.9最大允许的情况下，
温度在最大额定电流。
(14) I
GT
= 500 μA最大在T
C
= -40°C的T106设备
(15) I
H
= 10 mA（最大值）在T
C
= -65 ℃， 2N5064系列和
2N6565系列设备
(16) I
H
= 6 mA（最大值）在T
C
= -40°C的T106设备
（ 17 ）脉冲宽度
£10
µs
(18) I
GT
= 350 μA最大在T
C
= -65 ℃， 2N5064系列和
2N6565系列设备
（19）闭锁电流可以高于20毫安更高我
GT
类型。
此外，闩锁电流可在-40℃高得多。见图
E5.18.
(20) T
C
或T
L
= T
J
在关机状态下的测试条件
(21) I
DRM
我
RRM
= 50 μA为2N5064和100 μA为2N6565
125 °C
（ 22 ） TO- 92在-65℃代替-40 ℃的专用设备
(23) T
C
= 110 °C
(8)
(9)
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