可控硅
数据表
130
130
最大允许外壳温度（T
C
) – ˚C
120
110
100
90
80
70
60
50
0
55 A TO -220
（非隔离）
和TO -263 *
最大允许
外壳温度（T
C
) – ˚C
120
110
100
90
80
70
60
50
0
4
10 A TO- 220
（非隔离）
16 A TO- 220 （非隔离）
和TO- 263
20 A TO- 220 （隔离）
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量作为
在三维图中所示
55 A TO - 218AC
（非隔离的） *
10 A TO- 251和10 A TO- 252
12 A TO - 220 （非隔离）
的TO- 251和TO- 252
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量作为
在三维图中所示
65 A TO - 218AC
（独立） *
*在R，K或M封装评级
仅用于高浪涌
条件使用，不建议
为>50有效值连续
目前使用的，因为窄脚引
温度可能会超过印刷电路板焊接
熔化温度。 J或W¯¯包
被推荐为>50有效值
连续电流的要求。
10
20
30
40
50
60
70
75
15 A TO- 220
（隔离）
8
12
16
20
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
图E6.7最大允许外壳温度对比
RMS通态电流（ 10 A ， 12 A， 16 A ， 20 A）
图E6.10最大允许外壳温度对比
RMS通态电流（ 55 A和65 A）
最大允许外壳温度（T
C
) – ˚C
130
120
130
120
110
100
最大允许
外壳温度（T
C
) – ˚C
110
100
90
80
70
60
50
0
25 A TO- 220
（隔离）
25 A TO- 220
（非隔离）
和TO- 263
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量
如图所示的二维图
4
8
12
16
20
24
28
35 A TO -218
（隔离）
1 A设备
90
80
70
60
32
36
50
0
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量作为
在三维图中所示
0.2
0.4
0.6
0.8
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
平均通态电流[I
T（ AV ）
] - 安培
图E6.8最大允许外壳温度对比
RMS通态电流（ 25 A和35 A）
130
120
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量作为
在三维图中所示
图E6.11最大允许外壳温度对比
通态平均电流（ 1 ）
最大允许外壳温度（T
C
) – ˚C
130
12 A TO - 220 （非隔离）
和TO- 251和TO- 252
最大允许
外壳温度（T
C
) – ˚C
120
10 A TO- 251
10 A TO- 252
110
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
50
60
70
40 A TO- 220
（非隔离）
和TO- 263
65 A TO - 218X
（隔离）
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180 °
外壳温度：测量作为
在三维图中所示
70 A TO - 218X
（非隔离）
110
6 A TO -220
6 A TO -202
10 A TO- 220
（非隔离）
10 A TO- 220 （隔离）
10 A TO -202
100
6 A TO -251
6 A TO -252
8 A TO - 220 （隔离）
8 A TO -202
55 A TO - 218X
（非隔离）
90
8 A TO -220
（非隔离）
80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
平均通态电流[I
T（ AV ）
] - 安培
图E6.9最大允许外壳温度对比
RMS通态电流（ 40 A至70 A）
图E6.12最大允许外壳温度对比
通态平均电流（ 8 A， 10 A和12 A）
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