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TC1014-3.0VCT 参数 Datasheet PDF下载

TC1014-3.0VCT图片预览
型号: TC1014-3.0VCT
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内容描述: 具有关断功能和基准旁路50毫安CMOS LDO [50mA CMOS LDO WITH SHUTDOWN AND REFERENCE BYPASS]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 111 K
品牌: TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
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初步信息
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
TC1014
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ................. 7V
输出电压............................. ( - 0.3 )至(v
IN
+ 0.3)
功耗....................内部限制(注7 )
工作温度.................... - 40°C <牛逼
J
& LT ; 125°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
最大电压任意引脚上.......... V
IN
+ 0.3V至 - 0.3V
*超越那些在"Absolute最大Ratings"上市应力可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,和
该器件在这些或超越任何其它条件下操作
在技术规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
电气特性:
V
IN
= V
OUT
+ 1V ,我
L
= 100μA ,C
L
= 3.3μF , SHDN > V
IH
, T
A
= 25
°
C,除非另有说明。
粗体
参数值适用于对结温 - 40 ° C至+ 125°C 。
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
TCV
OUT
∆V
OUT
/∆V
IN
∆V
OUT
/V
OUT
V
IN
– V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差(注4 )
测试条件
50
V
R
– 2.5%
典型值
V
R
±0.5%
20
40
0.01
0.5
5
65
95
50
64
200
0.04
260
最大
6.5
V
R
+ 2.5%
单位
V
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
注1
注2
(V
R
+ 1V ) < V
IN
& LT ; 6V
I
L
= 1.0毫安到我
OUTMAX
(注3)
I
L
= 100µA
I
L
= 20mA下
I
L
= 50毫安
(注4 )
I
L
= I
OUTMAX ,
(注5 )
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
RE
1kHz
V
OUT
= 0V
注6
I
L
= I
OUTMAX
从470pF的旁路至GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
I
GND
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
∆V
OUT
/∆P
D
eN
接地引脚电流
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
0
0.05
400
µA
µA
µA
dB
mA
%/W
纳伏/赫兹÷
SHDN输入
V
IH
V
IL
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
15
%V
IN
%V
IN
注意事项:
1. V
R
是稳压器输出电压设定。 V
R
= 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V, 5.0V.
2. TCV
OUT
= (V
OUTMAX
– V
outmin
) x 10
6
V
OUT
x
∆T
3.调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载测试
范围1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在
热调节规范。
4.电压差定义为输入输出电压差,当输出电压低于其标称值的2% ,在一个1V
差。
5.接地引脚电流调节器传输晶体管的栅极电流。从输入电源汲取的总电流是负载的总和
电流,接地电流和电源电流(即我
IN
= I
供应
+ I
GND
+ I
负载
).
6.热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ,不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7.最大允许功耗是环境温度,允许的最大结温度和的函数
从结点到空气中(即牛逼热阻
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
散热注意事项
该数据表的详细信息部分。
.
TC1014-01-6/5/97
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