300毫安CMOS LDO具有关断，
错误输出和旁路
TC1173
详细说明
该TC1173是固定输出，低压差稳压器。
与双极型稳压器时， TC1173供电电流不
随负载电流。此外，V
OUT
保持稳定并
在调节范围内以非常低负载电流（一个重点考虑
关合作在RTC和CMOS RAM电池备份应用程序）。
TC1173引脚功能详述如下：
SHDN可以由CMOS逻辑门电路来控制，或I / O端口
微控制器。如果SHDN输入不是必需的，它
应直接连接到电源输入端。而在
关机时，电源电流降至0.05μA （典型值） ，
V
OUT
降到零，错误被禁止。
错误输出
ERROR驱动为低电平时V
OUT
掉下来的稳压
5 ％ （典型值） - 超过分页。这个条件可以是
造成的低输入电压，输出电流限制，或
热限制。
的误差阈值是5％以下为V
OUT
顾及─
更少的编程输出电压值（例如， ERROR
= V
OL
在4.75V （典型值）的5.0V稳压器和2.85V （典型值）
一个3.0V稳压器） 。 ERROR输出操作示于
图2.请注意，错误是当V
OUT
处于或
低于V
TH
和不活动时V
OUT
高于V
TH
+ V
H
.
如图1中所示，错误可以被用作电池
低的标志，或作为一个处理器的复位信号（加
的定时电容器C2 ） 。 R 1 X C3的选择应
保持低于V错误
IH
处理器复位输入
至少200毫秒时间让系统稳定下来。
上拉电阻R1可以连接到V
OUT
, V
IN
或任何其他
电压小于（Ⅴ
IN
+ 0.3V.)
V
OUT
引脚说明
针
号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
GND
NC
绕行
错误
描述
稳压输出
接地端子
无连接
参考旁路输入。连接一个470pF
该输入进一步降低输出噪声。
外的调节旗（漏极开路输出
放） 。此输出变为低电平时， V
OUT
是输出
超差约-5 ％ 。
关断控制输入。该稳压器是完全
当启用逻辑高电平被施加到该
输入。该稳压器进入关断时，
逻辑低电平被施加到该输入端。中
关断，输出电压下降到零，并
电源电流降至0.05μA （典型值） 。
无连接
未稳压电源输入
6
SHDN
7
8
NC
V
IN
V
TH
迟滞（V
H
)
图1显示了一个典型的应用电路。该法规
器启用任何时间关断输入（ SHDN ）以上
V
IH
和关闭（禁用） ，当SHDN等于或低于V
IL
.
错误
V
IH
V
OL
V
OUT
1
C1
1µF
2
V
OUT
V
IN
8
图2 ： ERROR输出操作
V
IN
GND
NC
7
R3
1M
TC1173
3
NC
SHDN
6
4
绕行
错误
5
错误
C
绕行
470pF
（可选）
关断控制
（从功率控制逻辑）
输出电容
从V A 1μF （最小值）的电容
OUT
接地是中建议
谁料。输出电容应具有有效的
的5Ω或更小的串联电阻。 1μF电容应
从V连接
IN
到GND ，如果有超过10英寸
调节器和交流滤波电容之间，或在导线的
如果使用电池作为电源。电 - 铝
裂解电容或钽电容可以使用。 （由于许多
铝电解电容器冻结在约 -
30 ° C，钽电容推荐应用
操作如下 - 25 ° C）当从源工作
比电池，电源噪声抑制和瞬态等
响应可通过增加的值可以改善
输入和输出电容和采用无源滤波
技术。
3
图1 ：典型应用电路
TC1173-2 00年2月2日
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
