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TC1411
TC1411N
1A高速MOSFET驱动器
特点
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闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .... 4千伏
高峰值输出电流1A ..................................
宽工作范围.......................... 4.5V至16V
高容性负载
驱动能力.......................... 1000pF的在25nsec
短延迟时间.................................. 30nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500
µ
A
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150
µ
A
低输出阻抗....................................... 8
Ω
引脚排列相同， TC1410 / 12月13日
概述
在TC1411 / 1411N是1A CMOS缓冲器/驱动器。他们
在任何条件下不会锁定了他们的能力范围内，并
额定电压。它们不受损坏时达
任一极性的噪声尖峰的5V发生在地面上
引脚。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，达
当前任一极性为500 mA被迫回
它们的输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4
kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1411 / 1411N能轻松
切换1000pF的栅极电容在25nsec与匹配
上升和下降时间，并提供足够低的阻抗
两者的接通和断开状态，以确保MOSFET的
预期国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
上升和下降时间的边缘相匹配，使驾驶
短持续时间的输入，以更高的精度。
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订购信息
产品型号
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
销刀豆网络gurations
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
TC1411
6 OUT
5 GND
TC1411N
6 OUT
5 GND
TC1411COA
TC1411CPA
TC1411EOA
TC1411EPA
TC1411NCOA
TC1411NCPA
TC1411NEOA
TC1411NEPA
反相
同相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
功能框图
TC1411
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
7
输入
4.7V
TC1411N
GND
有效
输入
C = 10pF的
TC1411 / N - 10 96年10月11日
8
4-189
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
