3A高速MOSFET驱动器
TC1413
TC1413N
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，单位为A或B中的.. （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP ř
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP ř
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V ，除非另外
明智的规定。典型值是在T测
A
= 25°C ; V
DD
=16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
2.0
—
–1
– 10
—
—
—
—
—
—
2.7
3.3
3.3
3.0
—
—
0.8
1
10
—
0.025
4
5
5
—
—
V
V
µA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
– 5V
≤
V
IN
≤
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
V
DD
– 0.025
直流测试
—
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安牛逼
A
= 25°C
—
—
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
—
V
DD
= 16V
—
占空比
≤
2%
0.5
V
DD
= 16V
t
≤
300
微秒
图1
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
V
Ω
I
PK
I
转
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
20
22
24
20
22
24
35
40
40
35
40
40
0.5
0.1
28
33
33
28
33
33
45
50
50
45
50
50
1.0
0.15
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
V
DD
= 16V
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-202
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
