1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
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电源旁路
充电和快速放电较大的容性负载
需要大电流。例如，充电为1000pF
在25nsec负荷to18V需要从一个0.72A的电流
设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
圆盘电容器短引线长度（以< 0.5 。 ）应该是
使用。 A 1
µF
薄膜电容器并联有一个或两个
0.1
µF
陶瓷圆盘电容器通常提供足够的
旁路。
该TC426 / 428分之427 CMOS驱动器，极大地重新
duced静态直流功耗。最大quies-
分电流8毫安相比， DS0026 40毫安
规范。对于一个15V电源，功耗为典型
美云40毫瓦。
另外两个功耗组件有：
•输出级的AC和DC负载电源。
•过渡政权。
输出级功率为：
PO = P
DC
+ PAC
= VO（我
DC
） + F c的
L
V
S
其中：
沃=直流输出电压
I
DC
=直流输出负载电流
f
=开关频率
VS ±电源电压
在功率MOSFET驱动器应用的P
DC
期限
可以忽略不计。 MOSFET功率晶体管是高阻抗
ANCE ，电容的输入设备。在应用中，电阻
略去负载或继电器驱动时，P
DC
组件将
通常占据主导地位。
P的大小
AC
很容易估计数
案例：
A.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 20kHz的
=1000pf
= 18V
= 65mW的
B.
1. f
2. C
L
3. VS
4. P
AC
= 200kHz的
=1000pf
=15V
= 45MW
接地
在TC426和TC428包含反相驱动器。地
在共同点的阻抗开发潜力下降
从输入到输出显示为负反馈和
降低开关速度快的特点。
单独的接地回路的输入和输出
电路或接地平面应该被使用。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动2.5毫安电流源负载。用逻辑
"1"输入，最大静态电源电流为8毫安。
逻辑"0"输入信号电平降低静态电流
0.4毫安最大。最低功耗的发生
逻辑"0"输入为TC426 /四百二十八分之四百二十七。
未使用的驱动器
输入端必须连接到V
DD
或GND 。
该驱动器的设计与迟滞的100毫伏。
这提供了清洁的转变，最大限度地减少输出级
当前扣球改变状态时。输入电压阈值
孩子是大约1.5V，从而使该器件的TTL的COM
兼容在4.5V至18V的电源工作范围。输入
电流小于1
µA
超过这个范围。
在TC426 / 428分之427可以直接由驱动
TL494 ， SG1526 / 1527 ， SG1524 ， SE5560 ，以及类似的开关
型电源集成电路。
功耗
电源电流与频率和电源电流与
容性负载特性曲线将有助于确定
功耗计算。
在输出电平状态发生变化时，电流浪涌会
流过串联连接的N和P沟道输出
MOSFETS作为一个装置转动"ON" ，而另一个是
转"OFF" 。该电流尖峰输出时只流向
转场。的输入电平不应维持BE-
补间的逻辑"0"和"1"的逻辑电平。
未使用的驱动器
输入端必须连接到地和不可
FL燕麦。
平均功耗将微型减少
mizing输入的上升时间。如图所示的特性
曲线，平均电源电流是频率相关的。
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TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
