欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TC427IJA 参数 Datasheet PDF下载

TC427IJA图片预览
型号: TC427IJA
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1.5A双高速功率MOSFET驱动器 [1.5A DUAL HIGH-SPEED POWER MOSFET DRIVERS]
分类和应用: 驱动器接口集成电路
文件页数/大小: 5 页 / 78 K
品牌: TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
 浏览型号TC427IJA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TC427IJA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC427IJA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC427IJA的Datasheet PDF文件第5页  
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC426
TC427
TC428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压,任何终端.... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散(T
A
70°C)
塑料................................................. .............. 730mW
CERDIP ................................................. ............. 800mW的
SOIC ................................................. ................ 470mW
降额因子
塑料................................................. ............ 8MW /°C的
CERDIP ................................................. ........ 6.4MW /°C的
SOIC ................................................. .............. 4mW的/°C的
工作温度范围
C版................................................ 0° C至+ 70°C
我版本.............................................. - 25 ° C至+ 85°C
Ë版本............................................ - 40°C至+ 85°C
M版.......................................... - 55 ° C至+ 125°C
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
2.4
–1
V
DD
– 0.025
典型值
10
6
1.5
最大
0.8
1
0.025
15
10
30
30
50
75
8
0.4
单位
V
V
µA
V
V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电气特性:
符号
参数
逻辑1 ,高输入电压
逻辑0 ,低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V,除非另有规定。
测试条件
输入
V
IH
V
IL
I
IN
0V
V
IN
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
开关时间
(注1 )
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
电源
I
S
电气特性:
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ,高输入电压
逻辑0 ,低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
高输出电阻
低输出阻抗
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V,除非另有规定。
2.4
–10
V
DD
– 0.025
13
8
0.8
10
0.025
20
15
60
30
75
120
12
0.6
V
V
µA
V
V
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
0V
V
IN
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
测试图1/2
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
开关时间
(注1 )
电源
I
S
注意:
1.切换的时间保证了设计。
4-170
TELCOM半导体,INC。的