6A单一的高速，
CMOS功率MOSFET驱动器
TC429
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，任何终端..... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
降额因子
塑料DIP ............................ 5.6毫瓦/ ℃，高于36 ℃，
CERDIP ................................................. ..... 6.4毫瓦/°C的
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
我版本........................................... - 25 ° C至+ 85°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
T
A
= + 25 ℃， 7V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
测试条件
民
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
参数
典型值
1.8
1.3
—
—
—
1.8
1.5
6
23
25
53
60
3.5
0.3
最大
—
0.8
10
—
0.025
2.5
2.5
—
35
35
75
75
5
0.5
单位
V
V
µA
V
V
Ω
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
V
IN
= 0.8V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
V
IN
= 2.4V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V
V
DD
= 18V （参见图3）
图1 ，C
L
= 2500pF的
图1 ，C
L
= 2500pF的
图1
图1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
开关时间（注1 ）
电源
I
S
注意事项：
1.切换的时间保证了设计。
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TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
