9A高速MOSFET驱动器
TC4421
TC4422
绝对最大额定值*
功耗，T
A
≤
70°C
PDIP ................................................. ................. 730W
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
5引脚TO- 220 ............................................ .......... 1.6W
功耗，T
A
≤
70°C
5引脚TO- 220 （带散热片） ......................... 1.60W
降额因子（到环境）
PDIP ................................................. ............ 8MW /°C的
CERDIP ................................................. ...... 6.4MW /°C的
5引脚TO- 220 ............................................ .. 12MW /°C的
热阻抗（大小写）
5引脚TO- 220 ř
QJ -C ............................................... ......
10°C/W
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
工作温度（芯片） ................................ 150℃
工作温度（环境）
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
焊接温度（ 10秒） ..................................... 300℃
电源电压................................................ ............ 20V
输入电压.......................... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ........................................ 50毫安
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V ，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
2.4
—
– 10
1.8
1.3
—
—
0.8
10
V
V
µA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
DC
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护
见图1
见图1
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
V
DD
= 18V
10V
≤
V
DD
≤
18V ，T
C
= 25°
（ TC4421 / CAT 22只）
占空比
≤
2%
承受反向电流
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
2
>1500
t
≤
300
微秒
—
—
1.4
0.9
9
—
0.025
—
1.7
—
V
V
Ω
Ω
A
A
mA
—
—
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
图1 ，C
L
= 10,000 pF的
图1 ，C
L
= 10,000 pF的
图1
图1
—
—
—
—
60
60
30
33
75
75
60
60
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
电源
I
S
V
DD
电源电流
工作输入电压
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
输入电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
—
—
4.5
2.4
—
– 10
0.2
55
—
—
—
—
1.5
150
18
—
0.8
10
mA
µA
V
V
V
µA
输入
V
IH
V
IL
I
IN
4-232
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
